06.06.2024
DMG1012T-7
Характеристики DMG1012T-7
-
Серия-
-
ПроизводительDiodes Inc
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureLogic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs400 mOhm @ 600mA, 4.5V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C630mA
-
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.74nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds60.67pF @ 16V
-
Power - Max280mW
-
Тип монтажаSurface Mount
-
Исполнение / КорпусSOT-523
-
УпаковкаTape & Reel (TR)
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024